GB 50809-2012《硅集成電路芯片工廠設計規范》

住房城鄉建設部關于發布國家標準《硅集成電路芯片工廠設計規范》的公告

現批準《硅集成電路芯片工廠設計規范》為國家標準，編號為GB 50809-2012，自2012年12月1日起實施。其中，第5.2.1、5.3.1、8.2.4、8.3.11條為強制性條文，必須嚴格執行。
本規范由我部標準定額研究所組織中國計劃出版社出版發行。

中華人民共和國住房和城鄉建設部
2012年10月11日

引用標準名錄

《建筑設計防火規范》GB 50016
《采暖通風與空氣調節設計規范》GB 50019
《供配電系統設計規范》GB 50052
《爆炸和火災危險環境電力裝置設計規范》GB 50058
《潔凈廠房設計規范》GB 50073
《工業企業噪聲控制設計規范》GBJ 87
《火災自動報警系統設計規范》GB 50116
《建筑內部裝修設計防火規范》GB 50222
《建筑工程抗震設防分類標準》GB 50223
《電子工業潔凈廠房設計規范》GB 50472
《電子工程防靜電設計規范》GB 50611
《特種氣體系統工程技術規范》GB 50646
《電子工廠化學品系統工程技術規范》GB 50781
《電磁屏蔽室屏蔽效能的測量方法》GB/T 12190
《工業企業廠界環境噪聲排放標準》GB 12348
《鍋爐大氣污染物排放標準》GB 13271
《化學品分類和危險性公示 通則》GB 13690
《大氣污染物綜合排放標準》GB 16297

前　言

本規范是根據原建設部《關于印發<2008年工程建設標準規范制定、修訂計劃>的通知(第二批)》(建標〔2008〕105號)的要求，由信息產業電子第十一研究院科技工程股份有限公司會同有關單位共同編制完成。
在規范編制過程中，編寫組根據我國硅集成電路芯片工廠的設計、建造和運行的實際情況，進行了大量調查研究，同時考慮我國目前集成電路生產的現狀，對國外的有關規范進行深入的研讀，廣泛征求了全國有關單位與個人的意見，并反復修改，最后經審查定稿。
本規范共分12章，主要內容包括：總則、術語、工藝設計、總體設計、建筑與結構、防微振、冷熱源、給排水及消防、電氣、工藝相關系統、空間管理、環境安全衛生等。
本規范中以黑體字標志的條文為強制性條文，必須嚴格執行。
本規范由住房和城鄉建設部負責管理和對強制性條文的解釋，由工業和信息化部負責日常管理，由信息產業電子第十一設計研究院科技工程股份有限公司負責具體技術內容的解釋。本規范在執行過程中，請各單位結合工程實踐，認真總結經驗，如發現需要修改和補充之處，請將意見和建議寄至信息產業電子第十一設計研究院科技工程股份有限公司《硅集成電路芯片工廠設計規范》管理組，以便今后修訂時參考。
本規范主編單位、參編單位、主要起草人和主要審查人：
主編單位：信息產業電子第十一設計研究院科技工程股份有限公司 信息產業部電子工程標準定額站
參編單位：中國電子工程設計院 中芯國際集成電路制造有限公司 上海華虹NEC微電子有限公司
主要起草人：王毅勃 王明云 李驥 肖勁戈 江元升 黃華敬 何武 夏雙兵 陸崎 謝志雯 朱琳 劉娟 劉序忠 高艷敏 朱海英 徐小誠 劉姍宏
主要審查人：陳霖新 薛長立 韓方俊 王天龍 劉志弘 彭力 劉嶸侃 李東升 毛煜林 楊琦 周禮譽

1 總 則

1.0.1 為在硅集成電路芯片工廠設計中貫徹執行國家現行法律、法規，滿足硅集成電路芯片生產要求，確保人身和財產安全，做到安全適用、技術先進、經濟合理、環境友好，制定本規范。

1.0.2 本規范適用于新建、改建和擴建的硅集成電路芯片工廠的工程設計。

1.0.3 硅集成電路芯片工廠的設計應滿足硅集成電路芯片生產工藝要求，同時應為施工安裝、調試檢測、安全運行、維護管理提供必要條件。

1.0.4 硅集成電路芯片工廠的設計，除應符合本規范外，尚應符合國家現行有關標準的規定。

2 術 語

2.0.1 硅片 wafer
從拉伸長出的高純度單晶硅的晶錠經滾圓、切片及拋光等工序加工后所形成的硅單晶薄片。

2.0.2 線寬 critical dimension
為所加工的集成電路電路圖形中最小線條寬度，也稱為特征尺寸。

2.0.3 潔凈室 clean room
空氣懸浮粒子濃度受控的房間。

2.0.4 空氣分子污染 airborne molecular contaminant
空氣中所含的對集成電路芯片制造產生有害影響的分子污染物。

2.0.5 標準機械接口 standard mechanical interface
適用于不同生產設備的一種通用型接口裝置，可將硅片自動載入設備，并在加工結束后將硅片送出，同時保護硅片不受外界環境污染。

2.0.6 港灣式布置 bay and chase
生產工藝設備按不同的潔凈等級進行布置，并以隔墻分隔生產區和維修區。

2.0.7 大空間式布置 ball room
生產工藝設備布置在同一個區域，全區采用同一潔凈等級，未劃分生產區和維修區。

2.0.8 自動物料處理系統 automatic material handling system(AMHS)
在硅集成電路芯片工廠內部將硅片和掩模板在不同的工藝設備或不同的存儲區域之間進行傳輸、存儲和分發的自動化系統。

2.0.9 純水 pure water
根據生產需要，去除生產所不希望保留的各種離子以及其他雜質的水。

2.0.10 緊急應變中心 emergency response center
內設各種安全報警系統和救災設備的安全值班室，為24h事故處理中心和指揮中心。

3 工藝設計

3.1 一般規定

3.1.1 硅集成電路芯片工廠的工藝設計應符合下列要求：
1 滿足產品生產的成品率的要求;
2 滿足工廠產能的要求;
3 具有工廠今后擴展的靈活性;
4 滿足節能、環保、職業衛生與安全方面的要求。

3.1.2 硅集成電路芯片工廠設計時應合理設置各種生產條件，在滿足硅集成電路生產要求的前提下，宜投資少、運行費用低、生產效率高。

3.2 技術選擇

3.2.1 生產的工藝技術和配套的設備應按硅集成電路芯片工廠的產品類型、月最大產能、生產制造周期、投資金額、長期發展進程等因素確定。

3.2.2 對于線寬在0.35μm及以上工藝的硅集成電路的研發和生產，宜采用4英寸～6英寸芯片生產設備進行加工。

3.2.3 對于線寬在0.13μm及以上工藝的硅集成電路的研發和生產，宜采用8英寸芯片生產設備進行加工。

3.2.4 對于線寬在20nm～90nm工藝及以下的硅集成電路的研發和生產，宜采用12英寸芯片生產設備進行加工。

3.3 工藝布局

3.3.1 工藝布置應滿足產品類型、規劃和產能目標的要求。

3.3.2 工藝布局應根據生產工序分為包含光刻、刻蝕、清洗、 氧化/擴散、濺射、化學氣相淀積、離子注入等工序在內的核心生產區，以及包括更衣、物料凈化、測試等工序在內的生產支持區。

3.3.3 核心生產區的布局應圍繞光刻工序為中心進行布置(圖3.3.3)，工藝布局應縮短硅片傳送距離，并應避免硅片發生工序間交叉污染。

3.3.4 4英寸～6英寸芯片核心生產區宜采用港灣式布局。

3.3.5 8英寸～12英寸芯片核心生產區宜采用微環境和標準機械接口系統，并宜采用大空間式布局。

3.3.6 8英寸～12英寸芯片核心生產區宜將生產輔助設備布置在下技術夾層。

3.3.7 工藝設備的間隔應滿足相鄰設備的維修和操作需求。

3.3.8 操作人員走道的寬度應符合下列原則：
1 應滿足設備正常操作的需要;
2 應滿足人員通行和材料搬運的需要;
3 應滿足材料暫存的需要。

3.3.9 生產廠房宜設置參觀走道，并應避免影響生產的人流和物流路線以及應急疏散。

3.3.10 8英寸～12英寸芯片生產宜根據生產規模設置自動物料處理系統(AMHS)。

4 總體設計

4.1 廠址選擇

4.1.1 廠址選擇應符合國家及地方的總體規劃、技術經濟指標、環境保護等要求，并應符合企業自身發展的需要，基礎設施優良。

4.1.2 廠址所在區域應大氣含塵量低，并應無洪水、潮水、內澇、颶風、雷暴威脅。

4.1.3 廠址場地應相對平整，距外界強振動源及強電磁干擾源較遠。

4.2 總體規劃及布局

4.2.1 工廠廠區應包括辦公、生產、動力、倉儲等功能區域，并應以生產區為核心進行布置。

4.2.2 廠區宜結合工廠發展情況預留發展用地。

4.2.3 廠區的人流、物流出入口應分開設置。

4.2.4 工廠的動力設施宜集中布置并靠近工廠的負荷中心。

4.2.5 廠區內車輛停放場地應滿足當地規劃要求。

4.2.6 動力設施主要噪聲源宜集中布置，并應確保場區邊界的噪聲強度分別符合現行國家標準《工業企業噪聲控制設計規范》GBJ 87及《工業企業廠界環境噪聲排放標準》GB 12348的限值規定。

4.2.7 廠區內應設置消防車道。

4.2.8 工廠廠區內宜規劃設備臨時存儲場。

4.2.9 廠區道路面層應選用整體性能好、發塵少的材料。

4.2.10?廠區綠化不應種植易產生花粉及飛絮的植物。

5 建筑與結構

5.1 建 筑

5.1.1 硅集成電路芯片工廠的建筑平面和空間布局應適應工廠發展及技術升級。

5.1.2 硅集成電路芯片工廠應包括芯片生產廠房、動力廠房、辦公樓和倉庫等建筑。生產廠房、辦公樓、動力廠房之間的人流宜采用連廊進行聯系。

5.1.3 生產廠房的外墻應采用滿足硅集成電路芯片生產對環境的氣密、保溫、隔熱、防火、防潮、防塵、耐久、易清洗等要求的材料。

5.1.4 生產廠房外墻應設有設備搬入的吊裝口及吊裝平臺。

5.1.5 生產廠房建筑及裝修應避免采用含揮發性有機物的材料和溶劑。

5.1.6 生產廠房應設置與生產設備尺寸和重量匹配的貨運電梯。

5.1.7 生產廠房內應設有工藝設備、動力設備的運輸安裝通道;搬運通道區域的高架地板應滿足搬入設備荷載要求。

5.1.8 生產廠房中技術夾層、技術夾道的建筑設計，應滿足各種風管和各種動力管線安裝、維修要求。

5.1.9 生產廠房外墻和室內裝修材料的選擇應符合現行國家標準《建筑內部裝修設計防火規范》GB 50222和《電子工業潔凈廠房設計規范》GB 50472的規定。

5.2 結 構

5.2.1 抗震設防區的硅集成電路芯片工廠建筑物應按現行國家標準《建筑工程抗震設防分類標準》GB 50223的規定確定抗震設防類別及抗震設防標準。

5.2.2 生產廠房的主體結構宜采用鋼筋混凝土結構、鋼結構或鋼筋混凝土結構和鋼結構的組合，并應具有防微振、防火、密閉、防水、控制溫度變形和不均勻沉降性能。

5.2.3 生產廠房宜采用大柱網大空間結構形式，柱網尺寸宜為600mm的模數。

5.2.4 生產廠房變形縫不宜穿越潔凈生產區。

5.3 防火疏散

5.3.1 硅集成電路芯片廠房的火災危險性分類應為丙類，耐火等級不應低于二級。

5.3.2 芯片生產廠房內防火分區的劃分應滿足工藝生產的要求，并應符合現行國家標準《電子工業潔凈廠房設計規范》GB 50472的規定。

5.3.3 潔凈區的上技術夾層、下技術夾層和潔凈生產層，當按其構造特點和用途作為同一防火分區時，上、下技術夾層的面積可不計入防火分區的建筑面積，但應分別采取相應的消防措施。

5.3.4 每一生產層、每個防火分區或每一潔凈區的安全出口設計，應符合下列規定：
1 安全出口數量應符合現行國家標準《潔凈廠房設計規范》GB 50073的相關規定;
2 安全出口應分散布置，并應設有明顯的疏散標志;
3 安全疏散距離可根據生產工藝確定，但應符合現行國家標準《電子工業潔凈廠房設計規范》GB 50472的規定。

6 防 微 振

6.1 一般規定

6.1.1 硅集成電路芯片廠房應滿足光刻及測試設備的防微振要求。

6.1.2 硅集成電路芯片廠房的選址應對場地周圍的振源進行充分的調查與評估。

6.1.3 廠址選擇除既有環境的振源外，尚應計及在未來可能產生的振源對擬建廠房的影響。

6.1.4 振動大的動力設備和運輸工具等應遠離對振動敏感的凈化生產區域，動力廠房與生產廠房不宜貼近布置。

6.1.5 硅集成電路芯片廠房宜在下列階段進行微振測試和評價：
1 在建設前，對場地素地進行測試和評價;
2 生產廠房結構體完工后，對于布置光刻及測試設備的區域進行測試;
3 生產廠房竣工時，對布置光刻及測試設備的區域進行測試。

6.2 結 構

6.2.1 生產廠房防微振除應計及場地振動外，尚應計及動力設備、潔凈區機電系統、物料傳輸系統運行中產生的振動，以及人員走動的影響。

6.2.2 生產廠房結構宜采用在下夾層實施小柱距柱網或在下夾層設置防振墻或柱間支撐等有利于微振控制的措施。

6.2.3 生產廠房結構分析時應計及由于防微振需要所設的支撐或防振墻等抗側力構件的影響。

6.2.4 生產廠房的地面宜采用厚板型鋼筋混凝土地面。布置微振敏感設備區域的建筑地坪厚度不宜小于300mm。當鋼筋混凝土地面兼作上部結構的筏板基礎時，厚度不宜小于600mm。

6.3 機 械

6.3.1 動力設備應采取動平衡好、運行平穩、低噪聲的產品。

6.3.2 對于易產生振動的動力設備及管道應采取隔振、減振措施。

6.3.3 對于靠近振動敏感區的管道應控制管道內介質的流速。

6.3.4 精密設備和儀器的防微振宜采用專用防振基座，其基座平臺的基本頻率應避開其下支承結構的共振頻率和其他振源的共振頻率。

7 冷 熱 源

7.0.1 硅集成電路芯片廠房的冷熱源設置應滿足當地氣候、能源結構、技術經濟指標及環保規定，并應符合下列要求：
1 宜采用集中設置的冷熱水機組和供熱、換熱設備，供應應連續可靠;
2 應采用城市、區域供熱和當地工廠余熱;
3 可采用燃氣鍋爐、燃氣熱水機組供熱或燃氣溴化鋰吸收式冷熱水機組供冷、供熱;
4 可采用燃煤鍋爐、燃油鍋爐供熱，電動壓縮式冷水機組供冷和吸收式冷熱水機組供冷、供熱。

7.0.2 在需要同時供冷和供熱的工況下，冷水機組宜根據負荷要求選用熱回收機組，并應采用自動控制的方式調節機組的供熱量。

7.0.3 冷熱源設備臺數和單臺容量應根據全年冷熱負荷工況合理選擇，并應保證設備在高、低負荷工況下均能安全、高效運行，冷熱源設備不宜少于2臺。

7.0.4 過渡季節或冬季需用一定量的供冷負荷時，可利用冷卻塔作為冷源設備。

7.0.5 冷水機組的冷凍水供、回水溫差不應小于5℃，在滿足工藝及空調用冷凍水溫度的前提下，應加大冷凍水供、回水溫差和提高冷水機組的出水溫度。

7.0.6 非熱回收水冷式冷水機組的常溫冷卻水的熱量宜回收利用。

7.0.7 當冷負荷變化較大時，冷源系統設備宜采用變頻調速控制。

7.0.8 電動壓縮式制冷機組的制冷劑應符合有關環保的要求，采用過渡制冷劑時，其使用年限應符合國家禁用時間。

7.0.9 燃油燃氣鍋爐應選用帶比例調節燃燒器的全自動鍋爐，且每臺鍋爐宜獨立設置煙囪，煙囪的高度應符合相關國家標準及當地環保要求的規定。

7.0.10 鍋爐房排放的大氣污染物，應符合現行國家標準《鍋爐大氣污染物排放標準》GB 13271和《大氣污染物綜合排放標準》GB 16297的規定，以及所在地區有關大氣污染物排放的規定。

8 給排水及消防

8.1 一般規定

8.1.1 給排水系統應滿足生產、生活、消防以及環保等要求，應在水量平衡的基礎上提高節約用水和循環用水的水平，并應做到技術先進、經濟合理、節水節能、減少排污。

8.1.2 給排水系統應在滿足使用要求的同時為施工安裝、操作管理、維修檢測和安全保護提供基礎條件。

8.1.3 給排水管道穿過房間墻壁、樓板和頂棚時應設套管，管道和套管之間應采取密封措施。無法設置套管的部位也應采取密封措施。

8.1.4 給排水管道在可能凍結的區域應采取防凍措施，外表面可能產生結露的管道應采取防結露措施。潔凈區內給排水管道絕熱結構的最外層應采用不發塵材料。

8.2 給 排 水

8.2.1 給水系統應按生產、生活、消防等對水質、水壓、水溫的不同要求分別設置。

8.2.2 生產和生活給水系統宜利用市政給水管網的水壓直接供水。

8.2.3 當市政給水管網的水壓、水量不足時，生產、生活給水系統應設置貯水裝置和加壓裝置進行調節。貯水裝置不得影響水質并設有水位指示。加壓裝置宜采用變頻調速設備，并應設置備用泵，備用泵供水能力不應小于供水泵中最大一臺的供水能力。

8.2.4 不同水源、水質的用水應分系統供水。嚴禁將城市自來水管道與自備水源或回用水源的給水管道直接連接。

8.2.5 生產廢水的排水系統應根據廢水的污染因子、廢水濃度、產水流量以及廢水處理的工藝確定，宜采用重力流的方式自流至廢水處理站。

8.2.6 生產廢水干管宜設置在地溝或生產廠房下夾層內，嚴寒地區的室外管溝內的排水管應采取保溫防凍措施。

8.2.7 排放腐蝕性廢水的架空管道應采用雙層管道，不宜采用法蘭連接。如必須采用時，法蘭處應采取防滲漏措施。

8.2.8 潔凈區內工藝設備的生產排水宜采用接管排水，設備附近宜設置事故地漏。排水干管宜設置透氣系統。

8.2.9 潔凈區內應采用不易積存污物、易于清洗的衛生設備、管道、管架及其附件。

8.2.10 有害化學品貯存間和配送間應設置用于輸送事故泄漏的化學藥劑和消防排水至安全場所的排水措施。

8.2.11 用于貯存事故泄漏的化學藥劑及消防排水的室內地溝等設施的貯存容積不應小于最大罐化學藥劑容積。

8.3 消 防

8.3.1 硅集成電路芯片工廠除應采取防火措施以外，還應結合我國當前的技術、經濟條件，配置必要的滅火設施。

8.3.2 潔凈區內除應設置室內消火栓系統、自動噴水滅火系統和滅火器系統外，還應根據生產工藝或設備的具體條件和要求，有針對性的設置其他消防設備。

8.3.3 消防水泵應設備用泵，消防泵房應設置備用動力源。

8.3.4 廠房室外消防給水可采用高壓、臨時高壓或低壓給水系統，并應符合現行國家標準《建筑設計防火規范》GB 50016的規定。

8.3.5 生產廠房潔凈生產層及上、下技術夾層除不通行的技術夾層外，應根據面積大小、設備臺數等設置室內消火栓。

8.3.6 設置于生產廠房內的室內消火栓宜設單獨隔斷閥門。

8.3.7 生產廠房潔凈生產層及潔凈區吊頂或技術夾層內，均應設置自動噴水滅火系統，設計參數宜按表8.3.7規定確定。

表8.3.7??自動噴水滅火系統設計參數

8.3.8 潔凈區的建筑構造材料為非可燃物且該區域內也無其他可燃物的存在時，該區域可不設自動噴水滅火系統。

8.3.9 垂直單向流的潔凈區和潔凈區域應使用快速響應噴頭。

8.3.10 潔凈區吊頂下噴頭宜采用不銹鋼柔性接管與自動噴水滅火系統供水管道相連接。

8.3.11 存放易燃易爆的特種氣體氣瓶柜間內應設置自動噴水滅火系統噴頭。

8.3.12 在硅烷配送區域應設置直接作用于各氣瓶的水噴霧系統，系統的動作信號應來自火災探測器，且火災探測器應與氣瓶上的自動關斷閥聯動。

8.3.13 工藝排風管道的消防保護應符合下列要求：
1 設置于廠房內，用于輸送可燃氣體且最大等效內徑大于或等于250mm的金屬或其他非可燃材質的排風管道，應在風管內設置噴頭;
2 風管內自動噴水滅火系統的設計噴水強度不得小于1.9L/min·m²，風管內自動噴水滅火系統設計流量應滿足最遠端5個噴頭的出水量，單個噴頭實際出水量不應小于76L/min，水平風管內噴頭距離不得大于6.1m，垂直風管內噴頭最大間距不得大于3.7m;
3 為風管內噴頭供水的干管上應設置獨立的信號控制閥;
4 設置噴頭保護的排風管應設置避免消防噴水蓄積的排水措施;
5 安裝在腐蝕性氣體風管內的噴頭及管件應采取防腐蝕材質或襯涂合適的防腐材料;
6 風管內噴頭的安裝應便于定期維護檢修。

8.4 滅 火 器

8.4.1 在潔凈區內應設置滅火器。

8.4.2 潔凈區內宜選用二氧化碳等對工藝設備和潔凈區環境不產生污染和腐蝕作用的滅火劑。

8.4.3 在潔凈區內的通道上宜設置推車式二氧化碳滅火器。

8.4.4 其他滅火劑的選擇應計及配置場所的火災類型、滅火能力、污損程度、使用的環境溫度以及與可燃物的相容性。

9 電 氣

9.1 供 配 電

9.1.1 硅集成電路芯片工廠應根據當地電網結構以及工廠負荷容量確定合理的供電電壓。

9.1.2 硅集成電路芯片工廠用電負荷等級應為一級，其供電品質應滿足芯片生產工藝及設備的要求，并應符合現行國家標準《供配電系統設計規范》GB 50052、《爆炸和火災危險環境電力裝置設計規范》GB 50058及《電子工業潔凈廠房設計規范》GB 50472的規定。

9.1.3 硅集成電路芯片廠房配電電壓等級應符合生產工藝設備及動力設備的要求。

9.1.4 硅集成電路芯片廠房的供電系統應將生產工藝設備與動力設備的供電分設，生產工藝設備宜采用獨立的變壓器供電并采取抑制浪涌的措施。帶電導體系統的形式宜采用單相二線制、三相三線制、三相四線制，系統接地型式宜采用TN-S或TN-C-S系統。

9.1.5 對于有特殊要求的工藝設備，應設不間斷電源(UPS)或備用發電裝置。

9.2 照 明

9.2.1 硅集成電路芯片工廠生產區域照明的照度值應根據工藝生產的要求確定。

9.2.2 生產廠房技術夾層內宜設置檢修照明。

9.2.3 生產廠房內應設置供人員疏散用應急照明，其照度不應低于5.0lx。在安全出入口、疏散通道或疏散通道轉角處應設置疏散標志。在專用消防口應設置紅色應急照明指示燈。

9.2.4 生產廠房潔凈區宜選用吸頂明裝、不易積塵、便于清潔的燈具。當采用嵌入式燈具時，其安裝縫隙應采取密封措施。

9.2.5 生產廠房的光刻區應采用黃色光源，黃光的波長應根據生產工藝要求確定。

9.2.6 生產廠房備用照明的設置應符合下列規定：
1 潔凈區內應設計備用照明;
2 備用照明宜作為正常照明的一部分，且不應低于該場所一般照明照度值的20%。

9.3 接 地

9.3.1 生產設備的功能性接地應小于1Ω，有特殊接地要求的設備，應按設備要求的電阻值設計接地系統。

9.3.2 功能性接地、保護性接地、電磁兼容性接地、建筑防雷接地，宜采用共用接地系統，接地電阻值應按其中最小值確定。

9.3.3 生產設備的功能性接地與其他接地分開設置時，應采取防止雷電反擊措施。分開設置的接地系統接地極宜與共用接地系統接地極保持20m以上的間距。

9.4 防 靜 電

9.4.1 硅集成電路芯片廠房生產區應為一級防靜電工作區。

9.4.2 防靜電工作區的地面和墻面、柱面應采用導靜電型材料。導靜電型地面、墻面、柱面的表面電阻、對地電阻應為2.5×10⁴Ω～1×10⁶Ω，摩擦起電電壓不應大于100V，靜電半衰期不應大于0.1s。

9.4.3 防靜電工作區內不得選用短效型靜電材料及制品，并應根據生產工藝的需要設置靜電消除器、防靜電安全工作臺。

9.4.4 防靜電環境的門窗選擇應符合下列要求：
1 應選用靜電耗散材料制作門窗或采用靜電耗散型材料貼面;
2 金屬門窗表面應涂刷靜電耗散型涂層，并應接地;
3 室內隔斷和觀察窗安裝大面積玻璃時，其表面應粘貼靜電耗散型透明薄膜或噴涂靜電耗散型涂層。

9.4.5 防靜電環境的凈化空調系統送風口和風管，應選用導電材料制作，并應接地。

9.4.6 防靜電環境的凈化空調系統、各種配管使用部分絕緣性材質時，應在其表面安裝緊密結合的金屬網并將其接地。當使用導電性橡膠軟管時，應在軟管上安裝與其緊密結合的金屬導體，并應用接地引線與其可靠接地。

9.4.7 生產廠房內金屬物體包括潔凈室的墻面、門窗、吊頂的金屬骨架應與接地系統做可靠連接;導靜電地面、防靜電活動地板、工作臺面、座椅等應做防靜電接地。

9.4.8 生產廠房防靜電接地設計及其他要求，應按現行國家標準《電子工程防靜電設計規范》GB 50611的有關規定執行。

9.5 通信與安全保護

9.5.1 硅集成電路芯片工廠內應設通信設施，并應符合下列要求：
1 廠房內電話/數據布線應采用綜合布線系統，綜合布線系統的配線間或配線柜不應設置在布置工藝設備的潔凈區內;
2 應設置生產、辦公及動力區之間聯系的語音通信系統;
3 應根據管理及工藝的需要設置數據通信局域網及與因特網連接的接入網;
4 宜設置集中式數據中心。

9.5.2 生產廠房應設置火災自動報警系統，其防護對象的等級不應低于一級，火災自動報警系統形式應采用控制中心報警系統，并應符合下列要求：
1 應設有消防控制中心，并應符合現行國家標準《建筑設計防火規范》GB 50016的規定;
2 生產廠房內火災探測應采用智能型探測器。在封閉房間內使用或存儲易燃、易爆氣體及有機溶劑時，房間內應設置火焰探測器;
3 生產廠房潔凈區內凈化空調系統混入新風前的回風氣流中，宜設置高靈敏度早期報警火災探測器;
4 在潔凈區空氣處理設備的新風或循環風的回風口處，宜設風管型火災探測器。

9.5.3 生產廠房應設置火災自動報警及消防聯動控制?？刂圃O備的控制及顯示功能應符合現行國家標準《建筑設計防火規范》GB 50016及《電子工業潔凈廠房設計規范》GB 50472的規定。

9.5.4 生產廠房應設置氣體泄漏報警裝置，并應符合現行國家標準《建筑設計防火規范》GB 50016及《特種氣體系統工程技術規范》GB 50646的規定。

9.5.5 生產廠房應設化學品液體泄漏報警裝置，并應符合現行國家標準《電子工廠化學品系統工程技術規范》GB 50781的規定。

9.5.6 生產廠房應設置廣播系統，潔凈區內應采用潔凈室型揚聲器。當廣播系統兼事故應急廣播系統時，應符合現行國家標準《火災自動報警系統設計規范》GB 50116的有關規定。

9.5.7 芯片工廠內應設置閉路電視監控系統，監控攝像機宜采用彩色攝像機，閉路電視監控系統監控圖像存儲時間不應少于15d。

9.5.8 芯片工廠內宜設置門禁系統，所有進入潔凈區的通道均應設置通道控制，潔凈區內門禁讀卡器宜采用非接觸型。

9.6 電 磁 屏 蔽

9.6.1 硅集成電路芯片生產相關工序的房間和測量、儀表計量房間，凡屬下列情況之一，應采取電磁屏蔽措施：
1 環境的電磁場強度超過生產設備和儀器正常使用的允許值;
2 生產設備及儀器產生的電磁泄漏超過干擾相鄰區域所允許的環境電磁場強度值;
3 有特殊電磁兼容要求時。

9.6.2 環境電磁場場強宜以實測值為設計依據。缺少實測數據時，可采用理論計算值再加上6dB～8dB的環境電平值作為干擾場強。

9.6.3 生產設備和儀器所允許的環境電磁場強度值，應以產品技術說明要求為依據。

9.6.4 對需要采取電磁屏蔽措施的生產工序，在滿足生產操作和屏蔽結構體易于實現的前提下，宜直接對生產工序中的設備工作地環境進行屏蔽。

9.6.5 對需要采取電磁屏蔽措施的區域，屏蔽結構的屏蔽效能應在工作頻段有不小于10dB的余量。屏蔽室的電磁屏蔽效能，可按表9.6.5的數值確定。

表9.6.5??屏蔽室的電磁屏蔽效能

9.6.6 屏蔽措施可選擇下列方式：
1 直接對生產設備工作地環境進行屏蔽時，宜選擇裝配式的商品屏蔽室;
2 對生產工序整體環境進行屏蔽時，宜選擇非標設計和施工安裝的屏蔽體;
3 對儀表計量房間的電磁進行屏蔽時，裝配式的商品屏蔽室與非標設計和施工安裝的屏蔽體均可采用。

9.6.7 屏蔽效果驗收測量應符合現行國家標準《電磁屏蔽室屏蔽效能的測量方法》GB/T 12190的規定。

10 工藝相關系統

10.1 凈 化 區

10.1.1 生產環境的潔凈度等級應符合下列要求：
1 芯片生產廠房內各潔凈區的空氣潔凈度等級應根據芯片生產工藝及所使用的生產設備的要求確定;
2 潔凈度等級的劃分應符合現行國家標準《潔凈廠房設計規范》GB 50073的規定;
3 潔凈區設計時，空氣潔凈度等級所處狀態應根據生產條件確定。

10.1.2 生產環境的溫度、相對濕度指標應按芯片生產工序分別制定。一般潔凈區溫度應控制在22℃±0.5℃～22℃±2℃，相對濕度應控制在43%±3%～45%±10%。

10.1.3 潔凈區內的新鮮空氣量應取下列最大值：
1 補償室內排風量和保持室內正壓值所需新鮮空氣量之和;
2 保證供給潔凈區內人員所需的新鮮空氣量。

10.1.4 潔凈區與周圍的空間應按工藝要求，保持一定的正壓值，并應符合下列規定：
1 不同等級的潔凈區之間壓差不應小于5Pa;
2 潔凈區與非潔凈區之間壓差不應小于5Pa;
3 潔凈區與室外的壓差不應小于5Pa。

10.1.5　氣流流型的設計，應符合下列要求：
1 氣流流型應滿足空氣潔凈度等級的要求;
2 空氣潔凈度等級要求為1級～4級時，應采用垂直單向流;
3 空氣潔凈度等級要求為5級時，宜采用垂直單向流;
4 空氣潔凈度等級要求6級～9級時，宜采用非單向流。

10.1.6 潔凈區的送風量，應取下列最大值：
1 為保證空氣潔凈度等級的送風量;
2 消除潔凈區內熱、濕負荷所需的送風量;
3 向潔凈區內供給的新鮮空氣量。

10.1.7 凈化系統的型式應根據潔凈區面積、空氣潔凈度等級和產品生產工藝特點確定。

10.1.8 潔凈區的送風宜采用下列方式：
1 潔凈區面積較小、潔凈度等級較低且潔凈區可擴展性不高時，宜采用集中送風方式;
2 潔凈區面積大、潔凈度等級較高時，宜采用風機過濾器機組(FFU)送風。

10.1.9 對于面積較大的潔凈廠房宜設置集中新風處理系統，新風處理系統送風機應采取變頻措施。

10.1.10 對于有空氣分子污染控制要求的區域，可采取在新風機組及該區域風機過濾器機組上加裝化學過濾器的措施。

10.1.11 干盤管的設置應符合下列要求：
1 應根據生產工藝和潔凈區布局確定合理的安裝位置;
2 應根據處理風量、室內冷負荷、風機過濾器特性確定干盤管迎風面速度和結構參數;
3 應采取保證進入干盤管的冷凍水溫度高于潔凈區內空氣露點溫度的措施;
4 應設置檢修排水設施。

10.2 工藝排風

10.2.1 硅集成電路芯片工廠的工藝排風系統設計，應按工藝設備排風性質的不同分別設置獨立的排風系統。

10.2.2 凡屬下列情況之一時，應分別設置獨立的排風系統：
1 兩種或兩種以上的氣體有害物混合后能引起燃燒或爆炸時;
2 混合后發生反應，形成危害性更大或腐蝕性的混合物、化合物時;
3 混合后形成粉塵時。

10.2.3 潔凈區事故排風系統的設計應符合現行國家標準《采暖通風與空氣調節設計規范》GB 50019的規定。

10.2.4 使用有毒有害物質的房間排風量應滿足最小通風量6次/h。

10.2.5 生產廠房工藝排風系統應設置備用排風機，并應設置不間斷電源(UPS)。當正常電力供應中斷情況下，應保證工藝排風系統的排風量不小于正常排風量的50%。

10.2.6 生產廠房工藝排風系統宜設置變頻調節系統。

10.2.7 易燃易爆工藝排風管道上不應設置熔斷式防火閥。工藝排風管道不宜穿越防火分區的防火墻。

10.2.8 工藝排風管道穿越有耐火時限要求的建筑構件處，緊鄰建筑構件的風管管道應采用與建筑構件耐火時限相同的防火構造進行封閉或保護，每側長度不應小于2m或風管直徑的兩倍，并應以其中較大者為準。

10.2.9 工藝排風管道應采用不燃材料。

10.2.10 工藝排風系統管道及設備應設置防靜電接地裝置。

10.2.11 工藝排風系統不應兼作排煙系統使用。

10.3 純 水

10.3.1 硅集成電路芯片工廠純水系統設計應根據生產工藝要求，合理確定純水制備系統的規模、供水水質。

10.3.2 純水的制備、儲存和輸送的設備和材料，除應滿足所需水量和水質要求外，尚應符合下列規定：
1 純水的制備、儲存和輸送設備的配置應確保系統滿足運行安全可靠、技術先進、經濟適用、便于操作維護等要求;
2 純水的制備、儲存和輸送設備材料的選擇應與其接觸的水質相匹配，設備內表面應滿足光潔、平整等物理性能，同時應化學性質穩定、耐腐蝕、易清洗。

10.3.3 純水系統應采用循環供水方式。純水輸配系統應根據水質、水量、用水點數量、管道材質以及使用點對水壓穩定性等要求確定，可選擇采用單管式循環供水系統、直接回水的循環供水系統或逆向回水的循環供水系統，并應符合下列規定：
1 純水輸配系統的附加循環水量宜為額定耗用水量的25%～50%;
2 純水管道流速的選擇應能有效地防止水質降低和微生物的滋生，并應兼顧壓力損失，供、回水管流速分別不宜低于1.5m/s和0.5m/s;
3 純水輸配管路系統應根據系統運行維護的需要設置必要的采樣口;
4 工藝設備二次配管，且截止閥離設備較遠時，宜安裝回水管。

10.3.4 用于純水系統的水質檢測設備及儀表，其安裝不應使純水水質降低，其檢測范圍和精度應符合純水生產和檢驗的要求。

10.3.5 純水精處理或終端處理裝置宜靠近主要用水工藝設備設置。

10.3.6 純水系統管道材質的選用，應符合下列要求：
1 應滿足純水水質指標的要求;
2 材料的化學穩定性應高;
3 管道物理性能應好，內壁光潔度應高;
4 不得有滲氣現象。

10.3.7 純水管道的閥門和附件的選用應符合下列規定：
1 應選擇與管道相同的材質;
2 應選用密封好、結構合理、無滲氣現象的閥門。

10.3.8 純水廢水回收設計應與硅集成電路芯片生產工藝設計密切配合，并應根據工程實際情況、回收水質、水量，結合當前的技術、經濟條件等合理確定回收率。

10.3.9 回收水處理系統流程的擬定和設備的選擇，應根據工程的具體情況、回收水水質、水量以及處理后的用途等因素綜合確定。當不能取得回收水水質資料時，可按已建同類工程經驗或科學實驗確定。

10.4 廢 水

10.4.1 硅集成電路芯片工廠生產廢水處理系統應根據廢水污染因子種類、水量、當地廢水排放要求等設置分類收集、處理的廢水處理系統。

10.4.2 生產廢水處理系統應設置應急廢水收集池。

10.4.3 連續處理的生產廢水系統應設置調節池，調節池的大小應根據廢水水量及水質變化規律確定。

10.4.4 廢水處理系統的設備及構筑物應設置放空設施。

10.4.5 生產廢水系統污泥脫水設備應根據污泥脫水性能和脫水要求確定。

10.4.6 沉淀池所排出的污泥在進行機械脫水前宜先進行濃縮，污泥進入脫水設備前的含水率不宜大于98%。

10.4.7 污泥脫水間應預留脫水后泥餅的貯存或堆放的空間，并應根據外運條件設置運輸設施和通道。

10.4.8 廢水處理系統的設備及構筑物應根據所接觸的水質采取防腐措施。

10.4.9 廢水處理應遵循節水優先、分質處理、優先回用的原則。

10.5 工藝循環冷卻水

10.5.1 工藝循環冷卻水系統的水溫、水壓及水質要求，應根據生產工藝條件確定。對于水溫、水壓、運行等要求差別較大的設備，工藝循環冷卻水系統宜分開設置。

10.5.2 工藝循環冷卻水系統的循環水泵宜采用變頻調速控制，應設置備用泵，備用泵供水能力不應小于最大一臺運行水泵的額定供水能力。

10.5.3 工藝循環冷卻水系統的循環水泵供電形式，宜采用雙回路供電或采用大功率不間斷電源(UPS)裝置供電。

15.5.4 工藝循環冷卻水系統應設置過濾器，過濾器宜設置備用。過濾器的過濾精度應根據工藝設備對水質的要求確定。

10.5.5 工藝循環冷卻水系統的換熱設備宜設置備用機組。

10.5.6 循環水箱的有效容積不應小于總循環水量的10%，且應設置低位報警裝置和大流量自動補水系統。

10.5.7 工藝循環冷卻水系統的管路應符合下列規定：
1 配水管路應滿足水力平衡的要求;
2 應設置泄水閥或泄水口、排氣閥或排氣口和排污口;
3 工藝冷卻水管道的材質，應根據生產工藝的水質要求確定，宜采用不銹鋼管、給水UPVC管或PP管，管道附件與閥門宜采用與管道相同的材質;
4 非保溫的不銹鋼管與碳鋼支吊架之間的隔墊應采用絕緣材料，保溫不銹鋼管應采用帶絕熱塊的保溫專用管卡。

10.5.8 工藝循環冷卻水系統應結合工藝用水設備、工藝循環冷卻水系統的設備及管路、冷卻水水質情況，合理設置水質穩定處理裝置。

10.6 大宗氣體

10.6.1 大宗氣體供應系統宜在工廠廠區內或鄰近處設置制氣裝置或采用外購液態氣儲罐或瓶裝氣體。

10.6.2 氫氣、氧氣管道的終端或最高點應設置放散管。氫氣放散管口應設置阻火器。

10.6.3 氣體純化裝置的設置，應符合下列要求：
1 氣體純化裝置應根據氣源和生產工藝對氣體純度、容許雜質含量要求選擇;
2 氣體純化裝置應設置在其專用的房間內，氫氣純化器應設置在獨立的房間內;
3 氣體終端純化裝置宜設置在鄰近用氣點處。

10.6.4 生產廠房內的大宗氣體管道等應采取下列安全技術措施：
1 管道及閥門附件應經脫脂處理;
2 應設置導除靜電的接地設施;
3 氧氣引入管道上應設置自動切斷閥。

10.6.5 氣體管道和閥門應根據產品生產工藝要求選擇，宜符合下列規定：
1 氣體純度大于或等于99.9999%時，應采用內壁電拋光的低碳不銹鋼管，閥門應采用隔膜閥;
2 氣體純度大于或等于99.999%、露點低于-76℃時，宜采用內壁電拋光的低碳不銹鋼管或內壁電拋光的不銹鋼管，閥門宜采用不銹鋼隔膜閥或波紋管閥;
3 氣體純度大于或等于99.99%、露點低于-60℃時，宜采用內壁拋光的不銹鋼管，閥門宜采用球閥;
4 氣體管道閥門、附件的材質宜與相連接的管道材質一致。

10.6.6 氣體管道連接，應符合下列規定：
1 管道連接應采用焊接;
2 不銹鋼管應采用氬弧焊，宜采用自動氬弧焊或等離子熔融對接焊;
3 管道與設備或閥門的連接，宜采用表面密封的接頭或雙卡套，接頭或雙卡套的密封材料宜采用金屬墊或聚四氟乙烯墊。

10.7 干燥壓縮空氣

10.7.1 潔凈廠房內的干燥壓縮空氣系統應根據各類產品生產工藝要求、供氣量和供氣品質等因素確定，并應符合下列規定：
1 干燥壓縮空氣系統的供氣規模應按生產工藝所需實際用氣量及系統損耗量確定;
2 供氣設備可集中布置在生產廠房內的供氣站或生產廠房外的綜合動力站;
3 供氣品質應根據生產工藝對含水量、含油量、微粒粒徑要求確定;
4 應選用能耗少、噪聲低的無油潤滑空氣壓縮機。

10.7.2 風冷式空氣壓縮機及風冷式干燥裝置的設備布置，應防止冷卻空氣發生短路現象。

10.7.3 干燥壓縮空氣管道內輸送露點低于-76℃時，宜采用內壁電拋光不銹鋼管;露點低于-40℃時，可采用不銹鋼管或熱鍍鋅碳鋼管。閥門宜采用波紋管閥或球閥。

10.7.4 壓縮空氣系統的管道設計應符合下列規定：
1 壓縮空氣主管道的直徑應按全系統實際用氣量進行設計;主支管道的直徑應按局部系統實際用氣量進行設計;支管道的直徑應按設備最大用氣量進行設計;
2 干燥壓縮空氣輸送露點低于-40℃時，用于管道連接的密封材料宜選用金屬墊片或聚四氟乙烯墊片;
3 當設計軟管連接時，宜選用金屬軟管;
4 管道連接宜采用焊接，不銹鋼管應采用氬弧焊。

10.8 真 空

10.8.1 生產廠房工藝真空系統的設計，應符合下列規定：
1 工藝真空系統的抽氣能力應按生產工藝所需實際用氣量及系統損耗量確定;
2 供氣設備應布置在生產廠房內的一個或多個供氣站內;
3 工藝真空設備應選用能耗少、噪聲低的設備;
4 工藝真空設備應根據工藝系統的實際情況選用水環式或干式真空泵;
5 工藝真空系統宜設置真空壓力過低保護裝置。

10.8.2 工藝真空系統的管道設計應符合下列規定：
1 工藝真空管路設計應布置成樹枝狀形式;
2 工藝真空主管道的直徑應按全系統實際抽氣量進行設計;主支管道的直徑應按局部系統實際抽氣量進行設計;支管道的直徑應按設備最大抽氣量進行設計;
3 工藝真空系統的管道材料宜根據工藝真空系統的真空壓力及真空特性選用不銹鋼管或厚壁聚氯乙烯管道;
4 當設計軟管連接時，應選用金屬軟管。

10.8.3 生產廠房清掃真空系統應符合下列規定：
1 清掃真空系統的抽氣能力應按同時使用清掃真空點的數量及每個使用點的抽氣量確定;
2 供氣設備應布置在生產廠房內的一個或多個供氣站內，末端清掃設備應設有過濾器;
3 清掃真空管路設計應布置成樹枝狀形式，支管路應采用成Y形接頭沿抽氣方向進入主管路;
4 在凈化區面積較小時，可采用移動式清掃真空系統

10.9 特種氣體

10.9.1 特種氣體宜采用外購鋼瓶氣體供應，在廠區內應設置儲存、分配系統。

10.9.2 特種氣體宜根據危險性質和存儲數量設置獨立的氣瓶間。

10.9.3 潔凈區內自燃、易燃、腐蝕性或有毒的特種氣體分配系統的設置，應符合下列規定：
1 危險氣體鋼瓶應設置在具有連續機械排風的特種氣體柜中;
2 排風機、泄漏報警、自動切斷閥均應設置應急電源;
3 一個特種氣體分配系統供多臺生產設備使用時，應設置多路閥門箱。

10.9.4 特種氣體分配系統應符合下列規定：
1 應設置吹掃盤;
2 應設置應急切斷裝置;
3 應設置過流量控制裝置;
4 應設置手動隔離閥;
5 運行過程中的吹掃氣源不應使用廠區內大宗氣體系統;
6 不相容特種氣體不得共用同一吹掃盤。

10.10 化 學 品

10.10.1 生產廠房內化學品的儲存、輸送方式，應根據生產工藝所使用化學品用量及其物理化學特性等確定。

10.10.2 生產廠房內使用的各類化學品應按各自的物理化學特性分類和儲存，并應符合現行國家標準《化學品分類和危險性公示通則》GB 13690的有關規定。

10.10.3 在潔凈區內使用危險化學品的生產設備、化學品儲存區(設備)，應采取相應的安全保護措施。

10.10.4 潔凈廠房內各種化學品儲存間(區)的設置，應符合下列規定：
1 易燃易爆化學品儲存、分配間應靠外墻布置;
2 危險化學品儲存區域(間)和分配區(間)，不得設置人員密集房間和疏散走廊的上方、下方或貼鄰;
3 各類化學品儲存、分配間應設置機械排風。機械排風系統應提供緊急電源;
4 易燃易爆化學品儲存間、分配間應采用不發生火花的防靜電地面;腐蝕性化學品應采用防腐蝕地面。

10.10.5 當設置集中分配間通過管道輸送化學品時，應符合下列規定：
1 輸送系統設備、管道的化學穩定性應與所輸送的化學品性質相容;
2 分配間以及設備排風應根據化學品的性質分類處理達到國家標準后排至大氣;
3 應設置液位監控和自動關閉裝置，并應設置溢流應對設施;
4 有機溶劑分配間應設置相應的泄漏濃度報警探頭，并應與緊急排風系統連鎖;
5 輸送易燃、易爆化學品的管道，應設置靜電泄放的接地設施，
6 輸送易燃、易爆、腐蝕性化學品總管上應設自動和手動切斷閥。

10.10.6 危險化學品的儲存、分配間，應設置廢液收集系統，并應符合下列規定：
1 應按化學品廢液成分和性質分類收集;
2 物理化學特性不相容的化學品，不得排入同一種廢液收集系統。

10.10.7 液態危險化學品的儲存、分配間，應設置溢出保護設施，并應符合下列規定：
1 防護堤形成的有效容積應大于最大儲罐的容積;
2 兩種化學品混合將引起化學反應時，不同化學品儲罐或罐組之間，應設置防護隔堤;
3 應設置液體泄漏報警和廢液收集系統。

10.10.8 根據化學品性質在儲存間和分配間應設置緊急淋浴器。

10.10.9 管道、閥門設計應符合下列要求：
1 化學品系統管道材質選用，應按所輸送的化學品物理化學性質和品質要求確定，應選擇化學穩定性能和相容性能良好的材料;
2 化學品輸送管路系統，對多臺生產設備供應同一種化學品時，應設置分配閥箱，并應設置泄漏檢測報警系統;
3 輸送非腐蝕性有機溶劑的管道材質，宜采用低碳不銹鋼管;輸送酸、堿類和腐蝕性有機溶劑管道材質，宜采用PFA或PTFE管，并應設置防泄漏保護透明PVC套管;用于管道系統的墊片，宜采用與所輸送化學品相容的氟橡膠、聚四氟乙烯或其他與所輸送化學品相容的材料;
4 閥門和附件的材質應與管道材質一致。

11 空間管理

11.0.1 硅集成電路芯片工廠室外空間管理，應符合下列規定：
1 室外管線宜采用架空敷設的方式集中布置;
2 室外管架不應影響道路的正常通行;
3 室外管架與鄰近的建筑物的間距應滿足管道安裝及維護的要求;
4 室外管架宜設置檢修馬道;
5 室外管架的空間和荷載應為擴展留有余量。

11.0.2 生產廠房內的空間管理應符合下列規定：
1 應滿足設備的正常生產空間;
2 不應影響設備維修以及搬入的空間;
3 應滿足輔助設備的維修、安裝以及搬入;
4 應滿足設備檢修的空間;
5 管線之間以及管線與建筑物之間應預留足夠的安裝維修空間;
6 應計及管道入口的空間及管道井的位置;
7 應為今后擴展預留管道空間和荷載。

11.0.3 生產廠房內的管道應利用凈化區上、下技術夾層的空間進行布置。

11.0.4 凈化區上技術夾層內除消防管道外，不宜設置水管及其他液體輸送管道。

11.0.5 主要管線在上技術夾層布置時，應計及氣流組織的空間、排風管道和大宗氣體以及特種氣體管道敷設的空間高度。

11.0.6 在上技術夾層內宜設置檢修通道。

11.0.7 主要管線在下技術夾層布置時，應計及輔助設備、主管、支管、二次配管和消防噴淋管道的空間高度。

11.0.8 在管道種類多，空間有限的區域宜設置公共管架，并應符合下列規定：
1 在華夫板下和凈化區高架地板下應留有二次配管配線的空間;
2 尺寸較大的管道宜布置在公共管架的上層;
3 有坡度要求的管道宜布置在管道的下層;
4 管道改變方式時宜同時改變管道的標高;
5 應為今后擴展預留管道空間和荷載;
6 由梁、柱承重的公共管架宜在結構施工時預埋承重構件。

12 環境安全衛生

12.0.1 硅集成電路芯片工廠應具有對環境、安全及衛生進行監控的設施。

12.0.2 8英寸～12英寸硅集成電路芯片工廠宜設置健康中心，并應具備工傷急救及一般醫療、轉診及咨詢的設施。

12.0.3 8英寸～12英寸硅集成電路芯片工廠宜在靠近生產區入口處設置專人全天職守的緊急應變中心(ERC)，并應符合下列要求：
1 應制定緊急應變程序;
2 應設置防災及生命安全監控系統;
3 應配備緊急應變器材。

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